15,5 дБ ТИПИЧНЫЙ ПРИРОСТ МОЩНОСТИ При ЧАСТОТЕ 2 ГГц 8 В EFA960CR Полевой транзистор с низким уровнем искажений GaAs EFA960CR-CP083 EFA 960CR 10,5 дБ 4 ГГц
₽.266.73
₽.277.65
Артикул:
- f6377
Информация
- Номер модели - EFA960CR
- Происхождение - Материковый Китай
15,5 дБ ТИПИЧНЫЙ ПРИРОСТ МОЩНОСТИ При ЧАСТОТЕ 2 ГГц 8 В EFA960CR Полевой транзистор с низким уровнем искажений GaAs EFA960CR-CP083 EFA 960CR 10,5 дБ 4 ГГц
Оставить комментарий
Сопутствующие товары
Также приобретается вместе с этим товаром
Комментарии